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高性能、低功耗60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T

來源:亞成微電子 發布時間:2020-12-11 閱讀次數:

高性能、低功耗60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T

 

1.方案介紹

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亞成微基于ZVS反激電源控制芯片RM6801SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高性能、低功耗60W 氮化鎵(GaN)快充方案,具有體積小、效率高(效率Max >93%)、待機功耗低(功耗<60mW)、系統功能完備等特點。方案采用亞成微專有ZVS技術降低GaNFET開關損耗,改善EMI特性。專有驅動技術,直驅E-MODE GaN功率器件,省去外置驅動器件,并通過高度集成的芯片設計以及巧妙的結構組合,實現了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局,有效的提高了產品效率及功率密度,幫助快充電源廠商加速高性能大功率快充量產并節省物料成本。


2.方案特點

■ 輸出規格:5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3A;

■ 效率(Max)>93%,待機功耗<60mW,滿足六級能效標準,EMI特性優良;

■ 專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗,改善EMI特性;

■ 采用專有驅動技術,直驅E-MODE GaN功率器件,省去外置驅動器件,提高產品效率及功率密度;

■ 支持CCM/QR混合模式;

■ 支持最大140KHz工作頻率;

■ 內置700V高壓啟動,集成X-CAP放電功能;

■ 低啟動電流和低工作電流設計;

■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

■ Burst Mode去噪音;

■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;

■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


3.方案原理圖




4.方案BOM

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5.待機功耗



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6.能效測試

5V/3A能效測試

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9V/3A能效測試

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12V/3A能效測試

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15V/3A能效測試

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20V/3A能效測試

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7.老化及溫升測試



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8.ZVS測試

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9.EMI測試


5V/3A(L)

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5V/3A(N)


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20V/3A(L)

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20V/3A(N)

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